Näytetään tulokset 1 - 10 / 1009
tulosta / sivu
Mitä julkaisutietoja palvelu sisältää?
Julkaisun nimi
Tekijät
Julkaisukanava
Vuosi
 Julkaisujen tiedon ikoni

Utilizing Co as a contact metallization for wafer-level Cu-Sn-In SLID bonding used in MEMS and MOEMS packaging

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1109/ESTC55720.2022.9939539
Emadi, Fahimeh; Vuorinen, Vesa; Paulasto-Kröckel, Mervi
2022 IEEE 9th Electronics System-Integration Technology Conference, ESTC 2022 - Proceedings2022 Julkaisujen tiedon ikoni

Amorphous layer formation at the TaC/Cu interface in the Si/TaC/Cu metallization system

Vertaisarvioitu
DOI
10.1063/1.1447601
Laurila, Tomi; Kejun, Zeng; Kivilahti, Jorma K.; Molarius, Jyrki; Suni, Ilkka
Applied Physics Letters2002 Julkaisujen tiedon ikoni

Microstructural and mechanical characterization of Cu/Sn SLID bonding utilizing Co as contact metallization layer

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1016/j.jallcom.2022.167228
Emadi, F.; Vuorinen, V.; Mertin, Stefan; Widell, K.; Paulasto-Kröckel, M.
Journal of alloys and compounds2022 Julkaisujen tiedon ikoni

Tantalum carbide and nitride diffusion barriers for Cu metallization

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/S0167-9317(01)00582-2
Laurila, Tomi; Zeng, Kejun; Kivilahti, Jorma; Molarius, Jyrki; Riekkinen, Tommi; Suni, Ilkka
Microelectronic Engineering2002 Julkaisujen tiedon ikoni

The effect of platinum contact metallization on Cu/Sn bonding

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1007/s10854-018-9663-2
Rautiainen, Antti; Ross, Glenn; Vuorinen, Vesa; Dong, Hongqun; Paulasto-Kröckel, Mervi
Journal of Materials Science: Materials in Electronics2018 Julkaisujen tiedon ikoni

Diffusion barriers in semiconductor contact metallization: Dissertation

Kattelus, Hannu
Technical Research Centre of Finland. Publications1988 Julkaisujen tiedon ikoni

Amorphous layer formation at the TaC/Cu interface in the Si/TaC/Cu metallization system

Vertaisarvioitu
DOI
10.1063/1.1447601
Laurila, Tomi; Zeng, Kejun; Kivilahti, Jorma K.; Molarius, Jyrki; Suni, Ilkka
Applied Physics Letters2002 Julkaisujen tiedon ikoni

Reactively sputtered Ta2N and TaN diffusion barriers for copper metallization

Vertaisarvioitu
Molarius, Jyrki; Laurila, Tomi; Riekkinen, Tommi; Zeng, Kejun; Niskanen, Antti; Leskelä, Markku; Sun...
Advanced Metallization Conference2000 Julkaisujen tiedon ikoni

Effect of Oxygen on the reactions in the Si/Ta/Cu metallization system

Vertaisarvioitu
DOI
10.1557/JMR.2001.0404
Laurila, Tomi; Zeng, Kejun; Kivilahti, Jorma; Molarius, Jyrki; Suni, Ilkka
Journal of Materials Research2001 Julkaisujen tiedon ikoni

Effect of oxygen on the reactions in the Si/Ta/Cu metallization system

Vertaisarvioitu
DOI
10.1557/JMR.2001.0404
Laurila, Tomi; Zeng, Kejun; Kivilahti, Jorma K.; Molarius, Jyriki; Suni, Ilkka
Journal of Materials Research2001

Utilizing Co as a contact metallization for wafer-level Cu-Sn-In SLID bonding used in MEMS and MOEMS packaging

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1109/ESTC55720.2022.9939539
2022

Amorphous layer formation at the TaC/Cu interface in the Si/TaC/Cu metallization system

Vertaisarvioitu
DOI
10.1063/1.1447601
2002

Microstructural and mechanical characterization of Cu/Sn SLID bonding utilizing Co as contact metallization layer

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1016/j.jallcom.2022.167228
2022

Tantalum carbide and nitride diffusion barriers for Cu metallization

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/S0167-9317(01)00582-2
2002

The effect of platinum contact metallization on Cu/Sn bonding

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1007/s10854-018-9663-2
2018

Diffusion barriers in semiconductor contact metallization: Dissertation

1988

Amorphous layer formation at the TaC/Cu interface in the Si/TaC/Cu metallization system

Vertaisarvioitu
DOI
10.1063/1.1447601
2002

Reactively sputtered Ta2N and TaN diffusion barriers for copper metallization

Vertaisarvioitu
2000

Effect of Oxygen on the reactions in the Si/Ta/Cu metallization system

Vertaisarvioitu
DOI
10.1557/JMR.2001.0404
2001

Effect of oxygen on the reactions in the Si/Ta/Cu metallization system

Vertaisarvioitu
DOI
10.1557/JMR.2001.0404
2001